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Recentemente, gli ingegneri dell'Università della California, Berkeley, hanno descritto una grande svolta nella progettazione di transistor (piccoli switch elettronici che compongono blocchi per computer) che possono ridurre drasticamente il loro consumo di energia senza sacrificare la velocità, le dimensioni o le prestazioni. Questo elemento è chiamato strato di ossido di gate, che svolge un ruolo chiave nel cambio di transistor.
In questo studio, il team potrebbe anche raggiungere la capacità negativa combinando ossido di hafnium e zirconia in una struttura cristallina ingegnerizzata chiamata Superlattice e ha anche permesso che esistessero sia la ferroelettricità che l'antiferroelettricità. Si è scoperto che questi transistor richiedevano circa il 30% in meno di tensione rispetto ai transistor esistenti, mantenendo il benchmark del settore dei semiconduttori senza sacrificare l'affidabilità.
Questo test della nuova applicazione di zirconia mostra inoltre che il potenziale di sviluppo dei componenti ceramici di zirconia è enorme. La tradizionale applicazione di zirconia viene fatta principalmente sugli alberi in ceramica della possibile essere ampiamente utilizzato come materiale dielettrico ceramico e solido strutturale ad alte prestazioni.
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