Casa> Elenco prodotti> Componente ceramico ingegneristico> Ceramica di nitruro di silicio> Substrato ceramico di nitruro di silicio Si3N4 spesso 0,3 mm 0,635 mm

Substrato ceramico di nitruro di silicio Si3N4 spesso 0,3 mm 0,635 mm

Substrato ceramico di nitruro di silicio Si3N4 spesso 0,3 mm 0,635 mm
Substrato ceramico di nitruro di silicio Si3N4 spesso 0,3 mm 0,635 mm
  • Tipo di pagamento: T/T,Paypal,Money Gram,Western Union
  • Incoterm: FOB,CFR,CIF,EXW,FCA,CPT,CIP
  • Quantità di ordine minimo: 10 Piece/Pieces
  • Trasporti: Ocean,Land,Air
  • Porta: Shenzhen,HongKong
Prezzo:
  • $60

    10-99 Piece/Pieces

  • $50

    ≥100 Piece/Pieces

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Dettagli del prodotto descrizione
Caratteristiche del prodotto

ModelloStandard or custom-made

marchioCeramiche Jinghui

Luogo D'origineCina

SpecieParti in ceramica

ApplicazioneCeramica industriale

MaterialeCeramica di allumina

Servizio Di ElaborazioneFlessione, Taglio, Modanatura

Product NameSilicon Nitride Substrate

MaterialHigh Purity Silicon Nitride

Shaping MethodTape Casting

SpecificationAccording To Customers' Specification

Precision ProcessFine Grinding, Precision Cutting

FeaturesHigh Thermal Conductivity, High Thermal Shock

ApplicationFor Igbt Modules

Confezionamento e consegna
Unità vendibili: Piece/Pieces
Tipo pacchetto: Scatola dell'esportazione
Capacità di fornitura e informazioni aggiuntive

PacchettoScatola dell'esportazione

produttività100000 pieces/month

TrasportiOcean,Land,Air

Luogo di origineCina

Supportare50000 pieces/month

Certificati RoHS

Codice SA8547100000

PortaShenzhen,HongKong

Tipo di pagamentoT/T,Paypal,Money Gram,Western Union

IncotermFOB,CFR,CIF,EXW,FCA,CPT,CIP

Descrizione del prodotto
Substrato ceramico di nitruro di silicio Si3N4 spesso 0,3 mm 0,635 mm Le caratteristiche principali del substrato ceramico Si3N4 1. Elevata conduttività termica (fino a 70 W/mk), 3 volte quella del substrato ceramico di allumina; 2. Il coefficiente di espansione termica (3,1×10-6/℃) corrisponde al materiale di silicio semiconduttore (3,5-4,0×10-6/℃); 3. La resistenza alla flessione è superiore a quella del substrato di allumina, che è il doppio di quella del substrato di allumina; 4....
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