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Wafer di ceramica su ordinazione di AlN di dissipazione del calore industriale
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Wafer di ceramica su ordinazione di AlN di dissipazione del calore industriale

Wafer di ceramica su ordinazione di AlN di dissipazione del calore industriale

Tipo di pagamento: T/T,Paypal,Money Gram,Western Union
Incoterm: FOB,CFR,CIF,EXW,FCA,CPT,CIP
Quantità di ordine minimo: 1 Piece/Pieces
Termine di consegna: 35 giorni

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Informazioni basilari

    Modello: Customized

    Precision Process: Fine Grinding, Machining

    Application: Ceramic Waser, Ceramic Disc, Heat-sink Plate

    Material: Aluminum Nitride

    Color: Gray

    Max. Size: 400mm

    Min. Wall Thickness: 0.30mm

    Features: High Thermal Conductivity

    Density: Higher Than 3.3g/cm3

Additional Info

    Pacchetto: Cartone di esportazione

    produttività: 100000 pieces/month

    marchio: Ceramica Jinghui

    Trasporti: Ocean,Land,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 50000 pieces/month

    Certificati : RoHS

    Codice SA: 8547100000

    Porta: Shenzhen,HongKong

Descrizione del prodotto

Wafer di ceramica su ordinazione di AlN di dissipazione del calore industriale

La descrizione dei wafer di ceramica AlN

Il wafer in ceramica aln che ha un'alta conduttività termica di oltre 170 W / m. K, alta resistività, bassa perdita dielettrica, buon isolamento e alcune altre eccellenti proprietà. Il wafer ALN è la scelta migliore per una vasta gamma di materiali isolanti industriali per dissipatori di calore di macchinari e apparecchiature ad alta potenza come substrato per apparecchiature ad alta frequenza, substrato per moduli transistor ad alta potenza, circuiti ibridi ad alta densità, dispositivi a microonde, dispositivi a semiconduttore di potenza , dispositivi elettronici di potenza, componenti optoelettronici, semiconduttori laser, LED, prodotti IC e così via.
Il substrato AlN può essere la migliore soluzione nelle applicazioni elettroniche in cui sono richieste condizioni rigorose, come moduli di potenza (MOSFET, IGBT), pacchetti LED per il raffreddamento e la protezione di circuiti, pacchetti e moduli.

Le specifiche dei wafer in ceramica AlN
1. Stiamo fornendo vari wafer di ceramica rotondi, substrati ceramici quadrati e rettangolari
2. Lo spessore tipico dei wafer copre 0,38 mm, 0,5 mm, 0,635 mm, 1,0 mm, 1,2 mm, 1,5 mm
3. Il diametro più grande del wafer di ceramica rotondo può essere fino a 400 mm in 3 mm, 4 mm, 5 mm di spessore
4. Il max. la lunghezza laterale del wafer di ceramica quadrato e rettangolare può essere di 400 mm per 500 mm
5. Trattamento superficiale: può essere lucidato su un lato o doppio, metallizzato o sabbiato

Le caratteristiche principali dei wafer in ceramica AlN
1. Alta conducibilità termica (170 ~ 220) W / mk, è 5 ~ 8,5 volte superiore a quella dell'allumina
2. Coefficiente di dilatazione termica simile a quello del silicio (Si), aiuta ad ottenere un'alta affidabilità del chip Si
3. Alta resistenza di isolamento e resistenza di tensione, ma bassa costante dielettrica e perdita dielettrica
4. Elevata resistenza meccanica, fino a 450 MPa e corpo in ceramica molto denso privo di porosità
5. Offre una purezza molto elevata fino al 99%, inoltre è privo di tossicità e soddisfa le normative RoHS, REACH

L'applicazione dei wafer di ceramica AlN
Il wafer e il substrato AlN sono un eccellente materiale da imballaggio elettronico, il substrato AlN per una vasta gamma di applicazioni,
compresi componenti microelettronici a film sottile e film spesso, circuiti RF / microonde ad alta potenza e alta frequenza e condensatori o resistori

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Commento:

Forniamo una vasta gamma di wafer in ceramica, tra cui wafer in ceramica di allumina, wafer in ceramica di zirconio,

wafer ceramico al nitruro di silicio, wafer ceramico al nitruro di alluminio e così via.


Scheda delle proprietà dei wafer in ceramica AlN e dei substrati in ceramica

General
Properties
Unit 
Value
Mechanical
Purity 
% ≥99
Volume Density
g/cm3
≥3.30
Color
Gray
Porosity
% 0
Compressive Strength
MPa -
Bending Strength
MPa 450
Elastic Modulus
MPa 330
Fracture toughness
Mpam1/2 3
Thermal
Max. service temperature (Non-loading)

1800
Thermal Conductivity (25℃)
W/m.k
≥170
Coefficient of Thermal Expansion (CTE)
1*10-6 m/k
4.6
Specific heat
1 x 103J/(kg·K)
0.74
Electrical
Volume Resistivity (25℃)
ohm.cm
1*1014
Insulation Breakdown
KV/mm
25
Dielectric constant (1Mhz)
(E)
8.7

Capacità produttiva e la nostra forza per i wafer di ceramica

1. Forno di sinterizzazione pressato a caldo sotto vuoto

Vacuum Hot Press Sintering

2. Capacità di lavorazione ad alta precisione

High Precision Machining

3. Officina di lavorazione CNC

CNC Machining

4. Funzionalità personalizzate da piccole a grandi dimensioni

Customized Production Capability

Commento:

Disponiamo internamente di tipi completi di attrezzature di produzione, tra cui macchine formatrici ad alta pressione,

forno di sinterizzazione sotto vuoto, macchine per la lavorazione di alta precisione, macchine per la lucidatura, linee di produzione di metallizzazione.


Capacità di ispezione e controllo qualità per wafer in ceramica

1. Strumenti di ispezione di alta precisione

High Precision InspectionInspection Equipment

2. Workshop di ispezione OQC

Inspection

Commento:

1. Abbiamo un sistema completo di controllo qualità, tra cui IQC, IPQC, QA e OQC

2. Abbiamo anche team di controllo qualità professionale e attrezzature di ispezione di precisione.


FAQ (domande frequenti)

Q1: sono disponibile per fornire prodotti personalizzati?

A: Supportiamo sempre la richiesta su misura in base alle diverse dimensioni, design e trattamento superficiale.

Q2. Quando posso ottenere il prezzo?

A: Citiamo regolarmente entro 24 ore dopo aver ricevuto la tua richiesta. Se hai urgente bisogno di ottenere il prezzo,

ti preghiamo di chiamarci o di comunicarcelo nella tua e-mail in modo che procederemo alla tua richiesta come priorità.

Q3. Quanto tempo posso aspettare di ottenere il campione?

A: Dopo aver pagato l'addebito del campione e averci inviato i file confermati, i campioni saranno pronti per la consegna in 4 settimane.

Q4: per quanto tempo viene elaborata l'intera procedura?

A: Dopo aver effettuato un ordine, il tempo di produzione è di circa 25 giorni lavorativi.

Q5. Sei una fabbrica o società commerciale?

A: Siamo un produttore professionale. Ti invitiamo a visitare la nostra fabbrica.

Elenco prodotti : Piatto in ceramica avanzato > Substrato ceramico

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