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Wafer ceramico in alluminio ad alta conducibilità in alluminio

Wafer ceramico in alluminio ad alta conducibilità in alluminio
  • Tipo di pagamento: T/T,Paypal
  • Incoterm: FOB,CFR,CIF,EXW,FCA,CPT,CIP
  • Quantità di ordine minimo: 1 Piece/Pieces
  • Trasporti: Ocean,Land,Air
  • Porta: Shenzhen,HongKong
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Dettagli del prodotto descrizione
Caratteristiche del prodotto

ModelloCustomized

marchioJinghui Ceramics

ColorGray

Precision ProcessFine Grinding, Machining

ApplicationCeramic Waser, Ceramic Disc, Heat-sink Plate

Min. Wall Thickness0.30mm

MaterialAluminum Nitride

Max. Size400mm

FeaturesHigh Thermal Conductivity

DensityHigher Than 3.3g/cm3

Confezionamento e consegna
Unità vendibili: Piece/Pieces
Tipo pacchetto: Cartone di esportazione
Capacità di fornitura e informazioni aggiuntive

PacchettoCartone di esportazione

produttività100000 pieces/month

TrasportiOcean,Land,Air

Luogo di origineCina

Supportare50000 pieces/month

Certificati RoHS

Codice SA8547100000

PortaShenzhen,HongKong

Tipo di pagamentoT/T,Paypal

IncotermFOB,CFR,CIF,EXW,FCA,CPT,CIP

Descrizione del prodotto
Wafer ceramico in alluminio ad alta conducibilità in alluminio Le specifiche del substrato in ceramica Aln 1. Stiamo fornendo molti wafer ceramici rotondi, substrato ceramico quadrato e rettangolare 2. Lo spessore tipico del wafer copre 0,38 mm, 0,5 mm, 0,635 mm, 1,0 mm, 1,2 mm, 1,5 mm 3. Il diametro più grande del wafer in ceramica rotonda può essere fino a 400 mm in 3 mm, 4 mm, 5 mm di spessore 4. Il max. La lunghezza laterale del wafer in ceramica quadrata e rettangolare può essere 400...
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